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TECHNICAL SUPPORT
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Process Capability
制程能力
公司可提供多种尺寸和规格的光罩产物，制作精度笼罩130nm、180nm、250nm、350nm、500nm及以上芯片工艺节点。
Standard Binary Mask
二元掩模版也称为双极型掩模，是指由透光与不透光两种部门组成的光掩模版，是目前最广泛的光罩产物，其广泛用于365nm（I线）至193nm（ArF）的光刻工艺中，可笼罩的制程为130nm及以上的工艺节点。
Standard Binary Mask
OPC Mask
OPC（Optical Proximity Correction）即光学邻近效应修正技术，是一种光刻分辨率增强技术。在芯片制造历程中，当要害图形的尺寸小于光源的波长时，光的衍射效应导致掩模投影至硅片上的图案边缘失真严重，因此需要对掩模图案进行设计上的修正和赔偿，以此提高晶圆曝光时的图形分辨率与图像准确度。公司目前可应用多项 OPC 技术，并与客户密切相助，开发切合客户工艺要求的 OPC 光罩。
OPC Mask
PSM Mask
PSM（Phase Shift Mask）即相移掩模技术，其通过MOSi层发生180°的相位差，可以降低光的衍射作用，提高光罩图形的分辨率，增大焦深。公司开端研发了180nm工艺节点要害层的PSM掩模版技术，并将与客户密切相助，进一步开发切合要求的PSM掩模版。
PSM Mask
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